КорзинаКорзина

Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения

Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применения
Год выпуска: 2020
ISBN: 978-5-9963-0633-6
Наличие: На складе
519 р.
Купить Радиационные эффекты в кремниевых интегральных схемах космического применениякупить

В монографии анализируется влияние ионизирующих излучений (ИИ), преимущественно космического пространства, на характеристики изделий микро- и наноэлектроники. Рассмотрены: основы физики взаимодействий ИИ с полупроводниками; изменение электрофизических параметров приборных структур в результате образования наноразмерных дефектов под действием ИИ; дозовые ионизационные эффекты в структуре Si/SiO 2 и их влияние на характеристики приборов и микросхем; особенности радиационных испытаний изделий, изготовленных по МОП-, КМОП-, а также по биполярной технологии, на стойкость к воздействию низкоинтенсивного ИИ; одиночные события в изделиях микро- и наноэлектроники при воздействии отдельных заряженных частиц. Для технических специалистов, работающих в области электроники, а также для студентов и аспирантов.

Товар имеет сертификаты качества и безопасности и соответствует нормам санитарной гигиены. На товар распростаняется гарантия. Действует дисконтная накопительная система, а также корпоративная скидка 10% на заказ от 20 шт. На странице офомления заказа будет приведена более исчерпывающая информация о стоимости доставки в ваш регион и о вашей личной скидке.

Книжный раздел

Позвольте Вам предложить